三星开始向全球客户出货HBM4E芯片样品，性能较HBM4提升超20% —— 具体而言，先进的低功耗设计技术和优化的封装结构使能效比上一代产品提升了16%，热阻特性提升了14%以上。
这些改进还实现了更高效的散热，从而在高负载的下一代数据中心中保持了更长的可靠性并降低了能耗。继今年早些时候业界首次大规模生产和商业出货其业界领先的HBM4之后，三星现在通过推出HBM4E样品扩展了其HBM路线图，以满足人工智能计算和超大规模基础设施快速发展的需求。
与 HBM4相比，性能提升超过20%，同时每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大限度地提高大型语言模型 （LLM） 和下一代人工智能系统的计算性能。
三星的12层HBM4E提供48GB 的容量，比上一代产品增加了30%以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。